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| 部署・役職名 | 電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN－HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN－MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ＜MUST要件＞・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2025/11/13 |
| 求人番号 | 5824377 |
採用企業情報
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- メーカー 商社
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