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| 部署・役職名 | 電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究 |
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| 職種 | |
| 業種 | |
| 勤務地 | |
| 仕事内容 |
募集背景 パワエレ第2開発部では、車両の電動化のためのキーデバイスであるSiCパワーデバイスのウェハインゴット製造、エピタキシャル成長技術の内製化に向けた研究開発を行っております。第一原理計算や機械学習を駆使した装置・レシピ開発で、世界でも随一の高速かつ高品質な結晶成長を目指しております。また、ポストSiCデバイスとして、GaNや酸化ガリウム、ダイヤモンド半導体など次世代のパワーデバイスの研究開発を大学や企業と連携して行っております。 業務内容 パワーデバイス材料研究、デバイス開発 ・SiCウェハガス成長法の研究開発 ・SiCエピタキシャル成長の研究開発 ・横型GaN－HEMTのデバイス開発 ・縦型GaN－MOSFETのデバイス開発 ・α酸化ガリウム半導体研究開発 ・β酸化ガリウム半導体研究開発 ・ダイヤモンド半導体研究開発 |
| 応募資格 |
【必須（MUST）】 ＜MUST要件＞・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること（大学卒業レベル） ・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験（3年以上）を有すること ＜WANT要件＞ ・第一原理計算、T－CADシミュレーション経験 ・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験（5年以上） ・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験（5年以上） |
| 受動喫煙対策 | その他 「就業場所が屋外である」、「就業場所によって対策内容が異なる」、「対策内容は採用時までに通知する」 などの場合がその他となります。面接時に詳しい内容をご確認ください |
| 更新日 | 2025/11/12 |
| 求人番号 | 5824353 |
採用企業情報
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- 会社規模5001人以上
この求人の取り扱い担当者
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- メーカー 商社
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