ヘッドハンター案件
最終更新日：2024/05/27
ウエハプロセス技術エンジニア（ドライエッチング）
900万円〜1,500万円
研究・開発
半導体
茨城県
仕事内容
■ 担当技術分野 － ドライエッチング技術 ■ 対象デバイス － 150mm～200mm（SiCパワーデバイス） ■ 担当業務 ・SiCパワーデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入/エッチング条件構築） ・Siデバイス向けドライエッチング技術開発（装置選定導入エッチング条件構築等） ・生産技術開発（生産性改善・歩留まり向上/コストダウン及びBCM推進等）
応募資格
必須(MUST)
・ドライエッチングプロセス開発/改善業務の経験を有する方 ・英語：ビジネスレベル ・日本語：ビジネスレベル
歓迎(WANT)
・SiCパワーデバイスのドライエッチング（特にトレンチ形成）における使用設備の導入/評価やプロセス構築経験を有する方 ・4年制大学または大学院にて工学、化学、または物理学等を修了しており、半導体工学の知識を有していること
採用企業情報
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求人番号：3563849
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