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先端技術開発<高周波デバイス>

年収:800万 ~ 1200万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 先端技術開発<高周波デバイス>
職種
業種
勤務地
仕事内容 ■同社にて、無機材料を使用した半導体プロセス、真空成膜によるデバイス開発を担当して頂きます。

【具体的には】
・半導体のプロセス技術を活用した無期デバイスの開発
・CMP研磨や接合等を用いた、デバイス加工におけるプロセスおよびデバイス設計へのフィードバック
・真空成膜と結晶加工・結晶評価の業務と、それを用いたデバイスの電気特性の解析ならびにそれぞれの工程のプロセス設計
<働く魅力>
机上の設計のみならず、実際に顧客折衝や製造プロセスに降りて業務に当たって頂くため、ものづくりの一連の流れに携わる、幅広い業務をお任せ致します。裁量権のある業務を担当でき、組織づくりにも携わることができる点が魅力となっております。
労働条件 09:00 - 18:00
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
通勤手当
寮・社宅、財形貯蓄、保養所
年間128日/(内訳)完全週休2日制(土日)、祝日・夏季・年末年始。有給休暇、慶弔休暇
応募資格

【必須(MUST)】

【必須要件】※下記いずれかを満たす方
■物理系もしくは電気系のバックグラウンドを持ち、半導体プロセスによるデバイス開発の経験をお持ちの方
■高周波デバイス開発の経験をお持ちの方

【歓迎要件】
■真空成膜、CMP研磨や接合等を用いたデバイス加工の経験をお持ちの方



更新日 2019/01/10
求人番号 879243

採用企業情報

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