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Power Semiconductor Single Crystal- Process, Product & Equipment Design|パワー半導体単結晶のプロセス・製品・設備設計

年収:800万 ~ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 Power Semiconductor Single Crystal- Process, Product & Equipment Design|パワー半導体単結晶のプロセス・製品・設備設計
職種
業種
勤務地
仕事内容 パワー半導体向けウェハ製造に向けた要素技術及びプロセス技術設計、それに関わる生産技術開発を担当していただきます。
・パワー半導体向け単結晶成長技術の開発及び製品仕様・プロセス設計
・単結晶製造設備制御技術開発
・ウェハ製造のための、生産技術開発、設備設計及び工程設計
・ウェハ製品/製造工程品質保証及び管理
・社内外関連部署、仕入先、顧客との折衝
・開発技術の権利化

【開発ツール】
・Star-CCM(流体解析) ・ANSYS(応力設計)
労働条件 ■勤務時間
8:30~17:30(休憩時間:60分)
※フレックスタイム制
■待遇・福利厚生
・社会保険各種(雇用保険・労災保険・厚生年金保険・健康保険)
・教育制度・資格補助補足
・育児支援制度
など
■休日休暇
・週休2日制(土曜日・日曜日)
・GW・夏季・年末年始各10日程
・年間休日121日
・年次有給休暇、やすらぎ休暇、リフレッシュ休暇、子の看護休暇、介護休暇、ボランティア休暇
など
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体ウェハの製品設計、評価経験(目安:3年以上)
・無機材料プロセス開発、工程設計経験(目安:3年以上)
・結晶成長技術開発、生産技術開発及び設計の経験(目安:3年以上)
・半導体ウェハの工程設計、生産技術経験(目安:3年以上)
・半導体装置(結晶成長、加工、エピ)開発、設計(目安:3年以上)
・無機材料、パワーエレクトロニクス、半導体のどれかの基礎知識

【歓迎(WANT)】

・気相反応(CVD)、化学反応、無機材料の知識と開発・設計経験
・SiCウェハ製造プロセス全般に関する経験・知識
・パワー半導体材料、単結晶に関する知識
・技術開発における推進リーダ経験
・海外企業との折衝経験
・英語力(TOEIC610点以上目安、海外設備メーカとメールや電話会議でやりとりできるレベル)

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2026/02/03
求人番号 7006123

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 2.94
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    • 東京都
    • 関西外国語大学
  • メーカー 物流・倉庫 エネルギー
    • 自動車、モビリティ領域を専門に転職の支援をさせていただいております。 モビリティ・自動車業界専門だからこその知識と経験で、職種関係なく幅広い求人、最適なキャリアをご提案させていただきます。 業界へチャレンジしたいなどのご相談もお気軽にしていただけますと幸いです。
    • (2025/06/04)

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