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電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究

年収:800万 ~ 1400万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 電動車向けインバータ及び電源機器用次世代パワー半導体の材料・デバイス・プロセス研究
職種
業種
勤務地
仕事内容 パワーデバイス材料研究、デバイス開発
・SiCウェハガス成長法の研究開発
・SiCエピタキシャル成長の研究開発
・横型GaN-HEMTのデバイス開発
・縦型GaN-MOSFETのデバイス開発
・α酸化ガリウム半導体研究開発
・β酸化ガリウム半導体研究開発
・ダイヤモンド半導体研究開発
応募資格

【必須(MUST)】

<MUST要件>
・パワー半導体材料またはデバイスに関する知見を有すること(大学卒業レベル)
・半導体の材料開発、エピ成長開発、プロセス開発、製造装置開発、デバイス開発のいずれかの業務経験(3年以上)を有すること

<WANT要件>
・第一原理計算、T-CADシミュレーション経験
・エピタキシャル成長に関するプロセス・装置開発経験(5年以上)
・ワイドバンドギャップ半導体の研究・開発経験(5年以上)

受動喫煙対策

屋内禁煙

更新日 2025/06/05
求人番号 4823686

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

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    • 大阪府
    • 明治大学
  • メーカー 商社 メディカル
    • 製造業を中心とした大手・中小企業の案件を取り扱っております。 大手企業では20代後半以降の即戦力案件、中堅・中小企業では50代・60代の方も対象にした管理職以上の案件を得意としています。 企業側のトップアプローチを得意としておりますので求人について詳細にご案内させていただきます。
    • (2025/05/08)

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