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パワーデバイス(IGBT/FRD)の企画開発

年収:800万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 パワーデバイス(IGBT/FRD)の企画開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 1.IGBT/FRD新製品の開発企画
 システム適用性、競争力、コスト等からパラメータを設定し、IGBT/FRDの仕様を策定。
 パッケージなどの設計仕様を提案

2.IGBT/FRD新製品の開発進捗をフォロー(ファウンダリ、モジュールパッケージ、テストなど)
 製品開発における課題分析、解決(パッケージ、信頼性を含む)

3.IGBT/FRD新製品のテスト、評価
 テスト仕様の策定と最適化

4.製品仕様の確定、量産認定、ユーザーニーズ分析
 製品の電気特性評価、信頼性試験サポート。テストと実験結果から課題分析

5.IGBT/FRDに関連する技術体系の立ち上げ、支援。IGBT/FRDの性能とコスト最適化

<募集背景>
 日本研究所は、中国の製品開発と進化を加速することがミッションです。
 同社は既に世界で17の研究所を持ち、18番目の拠点として人員を拡充しています。
 2023年までに約50名の技術者採用を予定しています。
労働条件 <雇用形態> 正社員(試用期間 3ヶ月)※試用期間中も待遇に変更ありません

<予定年収> 700万円~1,500万円 ※年俸制

<労働時間> 9:00~18:00 (所定労働時間:8時間、休憩時間:60分)
 ※残業あり(実質20時間未満)

< 勤務地 > 神奈川県川崎市(最寄駅:溝の口)
 ※敷地内喫煙可能場所あり
 ※群馬県伊勢崎市での勤務も相談可です

<福利厚生> 健康保険、厚生年金保険、雇用保険、労災保険、通勤手当(月3万円まで)

<休日休暇> 週休2日制、有給休暇10日~20日、休日日数120日以上、年末年始、特別休暇など
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体メーカーにてパワーデバイスのデバイス技術、プロセス開発、
 テスト、信頼性評価/解析経験

【歓迎(WANT)】

・IGBT、または、FRDの経験

更新日 2021/12/28
求人番号 1993147

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.77
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    • 東京都
    • 東北大学
  • メーカー 商社 エネルギー
    • 保有求人は随時up+updateするよう努めております。 気になる求人がありましたら、お知らせください。 ご質問やご相談も歓迎です。
    • (2022/05/07)

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