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半導体デバイス開発エンジニア

年収:800万 ~ 1000万

ヘッドハンター案件

役員面接

部署・役職名 半導体デバイス開発エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 ◆中国大手シリコンファウンダリ日本法人でのプラットフォーム開発
 - 90nm~28nm世代のCMOSトランジスタデバイス開発
 - 車載対応プロセス開発・評価
 - フラッシュ混載プロセス開発(SST, SONOSなど)
 - MSIGプロセス開発(特にRFなど)
 - 上記TEG設計
労働条件 ◆雇用形態 正社員 (試用期間3ヶ月、定年60歳、再雇用制度あり)
◆予定年収 700万円~1,100万円

◆勤務地 東京都立川市
◆勤務時間 9:00~18:00 (休憩時間 1 時間、コアタイム 11:00~15:00、裁量勤務制)
◆休日休暇 完全週休二日制(土日)、祝日、有給休暇
応募資格

【必須(MUST)】

・半導体デバイス開発実務経験3年以上

【歓迎(WANT)】

・プロセスインテグレーション開発全般を理解している方
・課題設定能力(何が課題かを見抜く力のある方)のある方
・Cross-functionalなチームの中で協力し合える方
・積極性(何事も有言実行)
・英語または中国語スキル

更新日 2021/10/15
求人番号 1915150

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.99
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  • 会社名は会員のみ表示されます

    • 東京都
    • 東北大学
  • メーカー 商社 エネルギー
    • 保有求人は随時up+updateするよう努めております。 気になる求人がありましたら、お知らせください。 ご質問やご相談も歓迎です。
    • (2020/06/18)

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