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【デバイスエンジニア,プロセスエンジニア(半導体/パワーデバイス開発 )】パワー半導体の研究開発企業

年収:800万 ~ 1200万

採用企業案件

部署・役職名 【デバイスエンジニア,プロセスエンジニア(半導体/パワーデバイス開発 )】パワー半導体の研究開発企業
職種
業種
勤務地
仕事内容 【会社概要】
大手セミコンダクターメーカーグループにおいて、パワー半導体の研究開発、マーケティング、製品企画、コンサルティングを行っているR&D企業です。
開発・販売するIC,パワーデバイスの内、主にパワーデバイス(MOSFET)のプラットフォーム開発を担当し、卓越した技術による最高性能デバイスの開発及びシステムソリューションを提案しています。

【ミッション/業務内容】
Simulationを活用し,新規デバイスプラットフォームを開発, プロセスレシピを提案、その耐圧展開を図る。
またアウトソースFABとの折衝によりプロセス再適化を検討する。
(プロセス寄りのデバイス開発を行う業務)
労働条件 【雇用形態】正社員
【試用期間】3か月
【就業時間】9:00~17:45
フレックスタイム制:有り
【年間休日】127日(2020年予定)土・日・祝日休/完全週休2日制/年末年始休暇
【給与】時間外手当:有り 通勤手当:有り 賞与:有り 有給休暇:有り 退職金制度:有り 昇給:有り 
【社会保険】健康保険、厚生年金、雇用保険、労災保険
【定年】有り
応募資格

【必須(MUST)】

・電子学科に準ずる
・パワー半導体デバイス開発経験者

更新日 2021/04/09
求人番号 1541481

採用企業情報

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