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デバイス・プロセス開発エンジニア

年収:800万 ~ 1000万

採用企業案件

部署・役職名 デバイス・プロセス開発エンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 当社は、米国サンタバーバラにあるUCSB(カリフォルニア大学サンタバーバラ校)での研究を元に設立され、GaN HEMTを用いたパワーデバイスの開発・生産・販売を行っているスタートアップ企業の日本法人です。
米国親会社は、日本国内のファウンドリ専業企業と協業を行い、日本国内においてGaN HEMTエピ開発・製造および前工程プロセスの開発・量産を行っております。
製造しているGaNパワーデバイスは業界トップレベルの性能と信頼性を達成しており、今後ワールドワイドでの販売拡大が期待されています。

【業務内容】
窒化物半導体を用いたパワーデバイス用途のインテグレーションエンジニアとしてご活躍いただきます。
具体的には、国内ファウンドリ専業企業内のプロセス装置を用いてGaN on Siデバイスを製造するためのプロセス開発をご担当いただきます。

※福島県への出張あり
労働条件 契約期間:期間の定め無
就業時間:8:40〜17:30(休憩1時間)
休⽇:⼟⽇、祝⽇ (年間休日 127日 2019年実績)
残業:有(平均⽉20時間/ ⽉20時間を超える残業代は追加で⽀給)
年収:応談。米国親会社からのストックオプションの付与
その他、委細面談で。
応募資格

【必須(MUST)】

・GaN HEMT Transistor製造工程に関する知識
・プロセス装置に関する知識
・GaNトランジスタの基本特性よよび特性評価方法に関する知識
・Excelでのデータ解析、パワーポイントでのプレゼンテーション能力

【歓迎(WANT)】

・GaNエピタキシャルの評価に関する知識
・JMPによる解析経験



海外のエンジニア(非日本語圏)の方と議論をしながら開発を行うことになりますので、英語力と積極性を十分生かせる職場です。
アピールポイント Uターン・Iターン歓迎 成果報酬型
更新日 2019/11/18
求人番号 1184680

採用企業情報

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