1. 転職サイト ビズリーチ
  2.  > 求人検索
  3.  > MRAM(磁気抵抗メモリ)開発技術者【横浜勤務】

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料) が必要です

新規会員登録(無料)

MRAM(磁気抵抗メモリ)開発技術者【横浜勤務】

年収:800万 ~ 1500万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 MRAM(磁気抵抗メモリ)開発技術者【横浜勤務】
職種
業種
勤務地
仕事内容 スマートフォン、タブレット、PC向けのMRAM(磁気抵抗メモリ)開発をお任せします。

【具体的業務】
1.端末製品に搭載するMRAM(磁気抵抗メモリ)の市場調査及び要件定義、工法開発。
2.MRAM読み取り/書き込みの速度・密度・消費電力などの各重要性能の最適化。
3.プロジェクトの推進のため、社内及びパートナー企業のとりまとめ。
4.量産に向けたプロセスの検討及び改善

【MRAM(磁気抵抗メモリ)とは】
半導体メモリの種類の一つで、記憶素子の素材の一部に磁性体を用い、磁化の状態の変化によって信号の記録を行うもの。電源が失われても記録された情報が消えない不揮発性メモリに分類される。

【魅力】
170ヵ国以上に事業を展開する当社。日経企業にはないグローバルな視点で技術開発に従事して頂きます。
また、毎年売り上げの10%を開発に投資しているため、会社全体が新しい技術を積極的に取り入れているため、最先端の技術を身に着けることができます。
雇用形態:
勤務地:神奈川県横浜市(横浜研究所)
労働条件 雇用形態:期間:正社員(期間の定めなし)
試用期間の有無:
試用期間(詳細):有(3ヶ月) 試用期間中勤務条件の変更無し
勤務時間:09:00~18:00
フレックスタイム  有 1日8時間就業
休日休暇:年間122日 (内訳)土曜、日曜祝日、夏季休暇4日、年末年始、慶弔休暇
年収:800~1500万円
月給:月給:401,000~
   
年収備考:年収設定基準: 経験・年齢に応じて支給 
給与形態:固定給制  
給与事例:
その他給与:
待遇・福利厚生:保険(雇用・労災・健康・厚生年金)再雇用制度、退職金制度、医療保険制度
応募資格 【必須】下記いずれかのご経験がある方
・MTJ薄膜、およびエッジング関連の設計、試験で5年以上の研究開発管理経験がある方。
・MRAMの開発における成功経験がある方。


更新日 2019/09/27
求人番号 1128025

採用企業情報

この求人の取り扱い担当者

  • 3.39
    ?
  • ヘッドハンターの氏名は会員のみ表示されます
  • 会社名は会員のみ表示されます

    • 大阪府
    • 大阪工業大学
  • メーカー
    • 日本で唯一のメーカー専門エージェントとして、活動しています。サポートスタイルとして、書面に載ってこないようなアナログな情報なでマッチングしますので、高確率での合格を提供します。エンジニア、管理部門の方々のサポートを得意としています。
    • (2019/05/31)

この求人に含まれるキーワード

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料) が必要です

メールアドレス ※ メールアドレスは公開されません
パスワード ※ 半角英数字記号10文字以上20文字以下で入力してください パスワードの安全度:
現在の年収
新規会員登録(無料)

新規会員登録(無料)ボタンをクリックすると個人情報の取り扱い、及び、利用規約に同意したものと見なされます

転職が決まりご報告いただいた方にはお祝いを用意しております。

ページ先頭へ