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次世代デバイス開発

年収:800万 ~ 1000万

ヘッドハンター案件

部署・役職名 次世代デバイス開発
職種
業種
勤務地
仕事内容 ■パワーデバイス半導体の設計、量産立ち上げ、生産プロセス開発に関する設計業務を担当して頂きます。

【具体的には】
主に電力変換回路に使用されるパワーデバイスは地球温暖化や震災以降の省エネ化の流れを受け、スイッチングデバイスの低損失化の要求と低コスト化が求められており、その設計難易度が高くなってきています。産機・車載・サーバ向けインバータ素子として魅力あるパワーデバイス半導体の新製品開発を担当して頂きます。
労働条件 08:45 - 17:15
健康保険、雇用保険、労災保険、厚生年金
通勤手当、(首都圏対象)都市勤務者住宅補助手当、家族手当、研究開発者手当他
従業員持株制度(奨励金支給あり)、住宅融資制度(利子補給あり)、確定拠出年金、貸付金制度、財形貯蓄(奨励金支給あり)、産前産後休暇、育児休職制度、介護休職制度、短時間勤務制度、再雇用制度、カムバック・エントリー制度、育児休憩、ベビーシッター利用補助制度、独身寮、転勤者用社宅、契約保養施設 等
年間124日/(内訳) 週休2日制(当社カレンダーによる)・祝日・夏期・年末年始・GW・慶弔休暇・有給休暇・リフレッシュ休暇・年休連続取得制度・育児休職制度・介護休職制度
応募資格

【必須(MUST)】

【必須要件】※以下の全てを満たす方
■基礎的な電気・電子工学の知識をお持ちの方
■ビジネスレベルの英語力(TOEIC730以上)
■パワー半導体(IGBT/MOSFET/HEMT/ワイドバンドギャップ半導体)設計の実務経験をお持ちの方



更新日 2019/08/29
求人番号 1104099

採用企業情報

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