1. 転職サイト ビズリーチ
  2.  > 求人検索
  3.  > MOCVDエピプロセスエンジニア

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料) が必要です

新規会員登録(無料)

MOCVDエピプロセスエンジニア

年収:800万 ~ 1000万

採用企業案件

部署・役職名 MOCVDエピプロセスエンジニア
職種
業種
勤務地
仕事内容 当社は、米国サンタバーバラにあるUCSB(カリフォルニア大学サンタバーバラ校)での研究を元に設立され、GaN HEMTを用いたパワーデバイスの開発・生産・販売を行っているスタートアップ企業の日本法人です。
米国親会社は、日本国内のファウンドリ専業企業と協業を行い、日本国内においてGaN HEMTエピ開発・製造および前工程プロセスの開発・量産を行っております。
製造しているGaNパワーデバイスは業界トップレベルの性能と信頼性を達成しており、今後ワールドワイドでの販売拡大が期待されています。

【業務内容】
窒化物半導体を用いたパワーデバイス用途のMOCVDエピプロセスエンジニアとしてご活躍いただきます。
具体的には、MOCVD装置を用いてGaN on Siエピを成長するためのプロセス開発をご担当いただきます。

※福島県への出張あり
労働条件 契約期間:期間の定め無
就業時間:8:40〜17:30(休憩1時間)
休⽇:⼟⽇、祝⽇ (年間休日 127日 2019年実績)
残業:有(平均⽉20時間/ ⽉20時間を超える残業代は追加で⽀給)
年収:応談。米国親会社からのストックオプションの付与
その他、委細面談で。
応募資格

【必須(MUST)】

・MOCVD装置を使用した化合物半導体エピタキシャル成長の実務経験(3年以上)
・Excelでのデータ解析、パワーポイントでのプレゼンテーション能力


【歓迎(WANT)】

・HEMTに関する知識

更新日 2019/08/27
求人番号 1096912

採用企業情報

この求人に含まれるキーワード

転職・求人情報の詳細をご覧になる場合は会員登録(無料) が必要です

メールアドレス ※ メールアドレスは公開されません
パスワード ※ 半角英数字記号10文字以上20文字以下で入力してください パスワードの安全度:
現在の年収
新規会員登録(無料)

新規会員登録(無料)ボタンをクリックすると個人情報の取り扱い、及び、利用規約に同意したものと見なされます

転職が決まりご報告いただいた方にはお祝いを用意しております。

ページ先頭へ